Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

総合得点

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

総合得点

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

考慮すべき理由
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 35

周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.1 11.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.6 6.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

35 31
読み出し速度、GB/s

11.5 19.1
書き込み速度、GB/秒

6.5 15.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1994 3553

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

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