RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 48
    周辺 48% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2239 left arrow 3047

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB RAMの比較

Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
メモリRAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBSR 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
メモリRAM