Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

総合得点

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

総合得点

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

考慮すべき理由
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

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Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

考慮すべき理由
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 73

周辺 -192% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

12.5 6.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

6.1 4.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 8500

周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

73 25
読み出し速度、GB/s

6.1 12.5
書き込み速度、GB/秒

4.7 6.1
メモリ帯域幅、mbps

8500 19200

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1021 1858

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

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Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB

AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

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Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

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