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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
総合得点
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
相違点
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考慮すべき理由
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
73
周辺 -204% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
4.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
24
読み出し速度、GB/s
6.1
15.6
書き込み速度、GB/秒
4.7
12.1
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1021
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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