Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

総合得点

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

総合得点

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

考慮すべき理由
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

バグを報告する

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 38

周辺 -73% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.2 12.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.5 8.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 22
読み出し速度、GB/s

12.9 18.2
書き込み速度、GB/秒

8.3 13.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2144 3201

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

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