RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
比較する
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
総合得点
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
総合得点
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
41
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.9
12.7
テスト平均値
考慮すべき理由
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
41
読み出し速度、GB/s
12.9
12.7
書き込み速度、GB/秒
8.3
10.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2144
2621
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAMの比較
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
‹
›
バグを報告する
×
Bug description
Source link