RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 5% 低遅延
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1853 left arrow 2264

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAMの比較

Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
メモリRAM