RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

総合得点
star star star star star
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 86
    周辺 70% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB 考慮すべき理由
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 86
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2277 left arrow 1658

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB RAMの比較

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
メモリRAM