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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比較する
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
総合得点
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
101
周辺 67% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
6.7
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.1
9.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
101
読み出し速度、GB/s
9.1
12.1
書き込み速度、GB/秒
9.9
6.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2279
1382
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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