RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 33
    周辺 -6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.1 left arrow 11.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.9 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2279 left arrow 2271

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAMの比較

Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAMの比較

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM