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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9965516-430.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 37
    周辺 -54% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 7.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    7.9 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1798 left arrow 2852

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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メモリRAM
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