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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
総合得点
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
36
周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
9.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.0
6.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
36
読み出し速度、GB/s
9.8
9.3
書き込み速度、GB/秒
6.4
7.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1891
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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