Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

総合得点

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

総合得点

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

考慮すべき理由
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 69

周辺 -200% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17 6.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 3.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 23
読み出し速度、GB/s

6.4 17.0
書き込み速度、GB/秒

3.7 12.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1129 2963

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

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Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

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