RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 31
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 15.6
    テスト平均値
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB 考慮すべき理由
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    15.7 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.8 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2388 left arrow 2316

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAMの比較

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
メモリRAM