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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
総合得点
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
85
周辺 51% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.2
11.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.2
6.0
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
85
読み出し速度、GB/s
12.2
11.3
書き込み速度、GB/秒
7.2
6.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2063
1118
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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