Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

総合得点

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

総合得点

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 42

周辺 -83% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17 12.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.4 7.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 12800

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

42 23
読み出し速度、GB/s

12.2 17.0
書き込み速度、GB/秒

7.2 13.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 25600

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2063 2936

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB

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Kingston HX318C10FK/4 4GB

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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

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