RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
バグを報告する
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 42
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2063 left arrow 2737

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
メモリRAM