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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
総合得点
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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仕様
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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考慮すべき理由
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
37
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.7
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
34
読み出し速度、GB/s
13.5
17.4
書き込み速度、GB/秒
8.5
11.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1795
3142
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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