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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
総合得点
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 19% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
31
読み出し速度、GB/s
13.8
14.3
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1995
2929
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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