Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

総合得点

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

総合得点

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 33

周辺 24% 低遅延

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.9 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 33
読み出し速度、GB/s

13.8 16.9
書き込み速度、GB/秒

7.8 13.2
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1995 3134

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N