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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比較する
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
総合得点
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
総合得点
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
64
周辺 61% 低遅延
考慮すべき理由
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
64
読み出し速度、GB/s
13.8
16.5
書き込み速度、GB/秒
7.8
8.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1995
2016
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAMの比較
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Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB RAMの比較
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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