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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比較する
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
総合得点
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
総合得点
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
39
周辺 36% 低遅延
考慮すべき理由
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
39
読み出し速度、GB/s
13.8
14.3
書き込み速度、GB/秒
7.8
10.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1995
2159
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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