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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
総合得点
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
27
周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
5.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
24
読み出し速度、GB/s
10.0
15.6
書き込み速度、GB/秒
5.7
12.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1435
2852
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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