Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

総合得点

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

総合得点

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 39

周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.6 12.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.3 6.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 10600

周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 32
読み出し速度、GB/s

12.6 17.6
書き込み速度、GB/秒

6.8 15.3
メモリ帯域幅、mbps

10600 25600

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1954 3516

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

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