RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 27
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.2 left arrow 13.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.1 left arrow 20.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2009 left arrow 3876

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAMの比較

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB RAMの比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM