RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
バグを報告する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 35
    周辺 -35% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1937 left arrow 3017

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB RAMの比較

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAMの比較

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
メモリRAM