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Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
総合得点
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
総合得点
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
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考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
81
周辺 -153% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
1,027.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
81
32
読み出し速度、GB/s
1,736.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
1,027.3
12.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
237
2958
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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