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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
総合得点
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
25
読み出し速度、GB/s
11.4
14.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
8.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1906
2372
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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