RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB 考慮すべき理由
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 27
    周辺 -42% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1620 left arrow 3192

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAMの比較

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
メモリRAM