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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB 考慮すべき理由
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 39
    周辺 31% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1620 left arrow 2725

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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
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メモリRAM
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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