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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

総合得点
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

総合得点
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB 考慮すべき理由
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 34
    周辺 21% 低遅延
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1620 left arrow 2608

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AMD AE34G1601U1 4GB
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ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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