RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB 考慮すべき理由
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    11.5 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1756 left arrow 2417

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAMの比較

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB RAMの比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
メモリRAM