RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB 考慮すべき理由
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 46
    周辺 41% 低遅延
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    11.5 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1756 left arrow 2717

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAMの比較

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
メモリRAM