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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比較する
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 17% 低遅延
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16
11.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
5.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
30
読み出し速度、GB/s
11.3
16.0
書き込み速度、GB/秒
5.5
10.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1913
3026
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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