RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston HX318C10FK/4 4GB 考慮すべき理由
Kingston HX318C10FK/4 4GB
バグを報告する
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 69
    周辺 -138% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 4.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.1 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1116 left arrow 3529

Kingston HX318C10FK/4 4GB RAMの比較

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB RAMの比較

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
メモリRAM
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM