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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
総合得点
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
相違点
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考慮すべき理由
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
69
周辺 -156% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.2
4.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
14900
周辺 1.29 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
27
読み出し速度、GB/s
6.1
15.2
書き込み速度、GB/秒
4.1
10.2
メモリ帯域幅、mbps
14900
19200
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1116
2764
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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