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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
69
周辺 -123% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
4.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
14900
周辺 1.29 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
31
読み出し速度、GB/s
6.1
15.4
書き込み速度、GB/秒
4.1
11.2
メモリ帯域幅、mbps
14900
19200
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
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