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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

総合得点
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

総合得点
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston HX318C10FK/4 4GB 考慮すべき理由
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 69
    周辺 -116% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 4.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14900
    周辺 1.43 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.1 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1116 left arrow 2958

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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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