RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
比較する
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
総合得点
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
総合得点
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
50
周辺 -56% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
7.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
32
読み出し速度、GB/s
10.0
17.8
書き込み速度、GB/秒
7.8
15.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2159
3593
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link