RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比較する
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
総合得点
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
37
周辺 30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.6
9.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
37
読み出し速度、GB/s
12.6
9.1
書き込み速度、GB/秒
7.7
7.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1820
2046
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAMの比較
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB RAMの比較
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link