RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

Kingston KF552C40-16 16GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KF552C40-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston KF552C40-16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 36
    周辺 17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.2 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3343 left arrow 1927

Kingston KF552C40-16 16GB RAMの比較

Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
メモリRAM