Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

総合得点

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

考慮すべき理由
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.4 13.8

テスト平均値

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 40

周辺 -48% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

9.8 8.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

40 27
読み出し速度、GB/s

14.4 13.8
書き込み速度、GB/秒

8.8 9.8
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2363 2323

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

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PNY Electronics PNY 2GB

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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

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