RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 49
    周辺 18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 10.9
    テスト平均値
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    13.1 left arrow 10.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2148 left arrow 2427

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAMの比較

Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
メモリRAM