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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Kingston HX318C10FK/4 4GB

総合得点
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

総合得点
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 69
    周辺 46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 4.1
    テスト平均値
Kingston HX318C10FK/4 4GB 考慮すべき理由
Kingston HX318C10FK/4 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 10600
    周辺 1.41 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 69
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 6.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 4.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2595 left arrow 1116

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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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