RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

総合得点
star star star star star
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 62
    周辺 40% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 6.0
    テスト平均値
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB 考慮すべき理由
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 6.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2595 left arrow 1586

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB RAMの比較

Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
メモリRAM