Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Inmos + 256MB

総合得点

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

総合得点

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

考慮すべき理由
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.2 11.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.7 9.1

テスト平均値

Inmos + 256MB

考慮すべき理由
Inmos + 256MB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 35

周辺 -17% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

16800 10600

周辺 1.58 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Inmos + 256MB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

35 30
読み出し速度、GB/s

16.2 11.5
書き込み速度、GB/秒

10.7 9.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 16800

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2726 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

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Mushkin 994083 4GB

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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

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Mushkin 991988 (996988) 4GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

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Kingston 9905630-052.A00G 16GB

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SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

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