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Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

総合得点
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Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 40
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 14.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.0 left arrow 9.2
    テスト平均値
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2736 left arrow 2509

Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB RAMの比較

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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メモリRAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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