Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

総合得点

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

総合得点

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

考慮すべき理由
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 60

周辺 -161% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.5 6.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 5.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 14900

周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

60 23
読み出し速度、GB/s

6.8 17.5
書き込み速度、GB/秒

5.4 13.2
メモリ帯域幅、mbps

14900 19200

Other

商品説明

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1411 3171

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

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