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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

総合得点
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 60
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 5.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14900
    周辺 1.43 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.4 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1411 left arrow 2803

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メモリRAM
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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メモリRAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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