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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB

総合得点
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

総合得点
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Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 17.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
Kingston XN205T-HYD2 16GB 考慮すべき理由
Kingston XN205T-HYD2 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 14.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    18.2 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    14.9 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3501 left arrow 3773

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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